概念
电子束蒸发法（Electron Beam Physical Vapor Deposition，EBPVD）是一种用于薄膜沉积的技术。它使用高速电子束来加热和蒸发材料，使其转变为气态，并在衬底表面沉积。这项技术常用于制备高质量、高纯度的薄膜，特别是在制备陶瓷薄膜和金属薄膜方面应用广泛。
在电子束蒸发法中，电子束从电子枪发射出来，并经过偏转系统聚焦到蒸发源上。电子束的能量使得蒸发源的表面加热到非常高的温度，从而使材料原子蒸发并向上扩散形成薄膜。薄膜沉积的过程可以在真空环境中进行，以避免与空气中的杂质反应。
电子束蒸发法具有较高的沉积速率和较好的沉积均匀性，可以实现对复杂形状表面的覆盖。同时，由于电子束具有较高的能量和较小的束斑尺寸，可以实现高能量沉积和高分辨率的沉积，使其在微电子器件制备和光学涂层等领域得到广泛应用。
优缺点
电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发效率更高。电子束蒸发可广泛用于高纯薄膜和导电玻璃等光学镀膜。它还具有用于航空航天工业的耐磨和热障涂层、切削和工具工业的硬涂层的潜在工业应用。然而，电子束蒸发不能用于涂覆复杂几何形状的内表面。此外，电子枪中的灯丝退化可能导致蒸发速率不均匀。
电子束蒸发VS热蒸发
电子束蒸发与热蒸发最大的区别在于
电子束蒸发与热蒸发最大的区别在于：电子束蒸发是用一束电子轰击物体，产生高能量进行蒸发，热蒸发通过加热完成这一过程。与热蒸发相比，电子束蒸发提供了高能量；但将薄膜的厚度控制在 5nm 量级将是困难的。在这种情况下，带有厚度监控器的良好热蒸发器将更合适。
与热蒸发相比，电子束蒸发具有许多优点
1、电子束蒸发可以将材料加热到比热蒸发更高的温度。这允许高温材料和难熔金属（例如钨、钽或石墨）的非常高的沉积速率和蒸发。
2、电子束蒸发可以沉积更薄、纯度更高的薄膜。坩埚的水冷将电子束加热严格限制在仅由源材料占据的区域，从而消除了相邻组件的任何不必要的污染。
3、电子束蒸发源有各种尺寸和配置，包括单腔或多腔。